国家/地区 中国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C23（2）
IPC小类 C01B（2） C23C（2）
IPC C01B031/04（2） C23C016/26（2）
发明人 WANG S（2）
公开年 2012（2）
申请年 2012（2）
专利权人 SHANGHAI INST MICROSYSTEM INFORMATION（2）

Preparation of graphene by selecting substrate material, depositing directly catalyst and tetrabromomethane on substrate surface, and annealing substrate.

DI Z, DING G, GONG Q, LIU Q, WANG H, WANG S, XIE X

Growing graphene, comprises growing graphene on surface of catalyst using carbon source through chemical vapor deposition, or growing graphene on catalyst surface and interface of catalyst contacting with substrate.

DI Z, DING G, GONG Q, JIANG M, SUN L, WANG S, XIE X, ZHU Y