国家/地区 日本（2）
IPC部 B（2） C（2） H（2）
IPC大类 B82（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
发明人
公开年
申请年
专利权人 UNIV TEXAS SYSTEM（2）

Fabrication of silicon nanostructures involves depositing etch uniformity improving layer on substrate, depositing catalyst on substrate or improving layer, and exposing catalyst to etchant.

SREENIVASAN S V, MALLAVARAPU A, AJAY P, CASTANEDA M, BARRERA C

Composition, used in a phase change material which is useful e.g. as thermal conductivity substrate for flexible graphene electronic devices, as electrode in battery, and in a thermal storage device, comprises galactitol and mannitol.

DA SILVA A K, FLEMING E, SHI L, BIELAWSKI C W, RUOFF R S, WEN S, JI H, PETTES M, PAUL A, PAEK E, PAK A J, SELLAN D P, FLAMING E, DA SILVAA A K