国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L029/78（2）
发明人 CHO B J（2）
公开年 2012（2）
申请年 2012（2）
专利权人 KOREA ADV IN.（2） KOREA ADVANC.（2）

Graphene electronic device e.g. FET, has graphene channel layer formed on gate insulating layer, source electrode formed on end of graphene channel layer, and drain electrode formed on another end of graphene channel layer.

SONG H, CHO B, SEO S, SHIN W, SONG H J, CHO B J, SEO S A, SHIN W C, SONG C, SIN W

Floating gate- or charge trap-type non-volatile memory device includes gate electrode made of graphene.

CHO B J, PARK J K