国家/地区 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 日本（2） 韩国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/02（2） H01L021/336（2） H01L029/06（2）
H01L029/16（2） H01L029/786（2）
发明人 GEIM A（2）
公开年 2012（2）
申请年 2012（2）
专利权人 UNIV MANCHES.（2）

Graphene heterostructure used in fabrication of transistor, has first graphene layer, second graphene layer, and spacer layer positioned between the first and second graphene layers.

GEIM A K, NOVOSELOV K S, GORBACHEV R V, PONOMARENKO L A, BRITNELL L, GEIM A, NOVOSELOV K, GORBACHEV R, PONOMARENKO L

Graphene heterostructure used for electronic components used in electronic circuits, and for electronic devices, consists of graphene layer positioned between two encapsulation layers.

GEIM A K, NOVOSOLEV K S, GORBACHEV R V, PONOMARENKO L A, GEIM A, NOVOSELOV K, GORBACHEV R, PONOMARENKO L, NOVOSELOV K S