国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2） H01L（2）
IPC C01B031/04（2） H01L021/336（2） H01L029/16（2）
H01L029/78（2） H01L029/786（2）
发明人 HEO J（2）
公开年 2016（2）
申请年 2015（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Fin-type graphene device i.e. graphene FET, for e.g. optical sensor, has gate electrode placed on gate insulating layer, and source electrode and separate drain electrode that are placed on side surface of graphene channel layer.

LEE M, LEE J, HEO J, LEE K, LEE M H, LEE J H, HEO J S, LEE K Y

Graphene device i.e. multi-functional device, for use in e.g. electronic apparatus e.g. transistor, has gate for facing functional layer with graphene layer, and gate insulation layer formed between graphene layer and gate.

HEO J, LEE K, PARK S, HEO J S, LEE K Y, PARK S J, LEE G, HUH J