国家/地区 韩国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2） C（2）
IPC大类 B82（2） C01（2）
IPC小类 B82Y（2） C01B（2）
IPC B82Y030/00（2） C01B031/02（2）
发明人 LEE G（2）
公开年 2013（2）
申请年
专利权人 KOREA ELECTR.（2）

Manufacture of graphene oxide reduced material for forming electrode for silicon-based semiconductor, involves synthesizing graphite oxide flakes from graphite flakes and forming graphene oxide dispersion solution.

JEONG S, LEE G, HAN J, JEONG H, KIM S, HAN J T, JEONG H J, JEONG S Y, KIM S H, LEE G W

One-dimensional conductive nanomaterial-based conductive film used for e.g. light-emitting diode, has substrate, layer with carbon nanotube and/or metal nanorod, and another layer with tungsten oxide, graphene and/or manganese dioxide.

HAN J, LEE G, JEONG H, JEONG S, KIM J, HAN J T, LEE G W, JEONG H J, JEONG S Y, KIM J S