| 国家/地区 | 美国(2) |
| IPC部 | H(2) |
| IPC大类 | H01(2) |
| IPC小类 | H01M(2) |
| IPC |
H01M004/133(2)
H01M004/1393(2)
H01M004/587(2)
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| 发明人 |
OGUNI T(2)
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| 公开年 |
2014(2)
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| 申请年 | |
| 专利权人 | SEMICONDUCTO.(2) |
OGUNI T, OSADA T, TAKEUCHI T
YAMAZAKI S, OGUNI T, MORIWAKA T, MOMO J, TAJIMA R, INOUE N
