国家/地区 韩国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类
IPC小类
IPC
发明人 SON D I（2）
公开年
申请年 2016（2）
专利权人 KOREA INST S.（2）

Manufacture of graphene barrier film for e.g. electronic device, involves forming graphene precursor layer on catalyst layer, forming graphene layer and protective layer, removing catalyst layer and providing graphene layer to substrate.

KIM M J, SEO T H, LEE S, KIM S M, AHN S, BAE S, SON D I

Electrode material used for supercapacitor, comprises cobalt oxide-graphene core-shell quantum dots and does not contain conductive additive.

SON D I, SHIM J H, LEE K S, KO Y H, KOO H Y