国家/地区 日本（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/28（2） H01L021/336（2） H01L029/786（2）
H01L051/05（2） H01L051/30（2）
发明人 TATENO Y（2）
公开年 2016（2）
申请年
专利权人 SUMITOMO ELE.（2） UNIV TOHOKU（2）

Semiconductor device for field effect transistor, has gate electrode provided on surface of graphene layer, source electrode arranged between drain electrodes, and graphene layer provided on surface of main body.

SUEMITSU M, FUKIDOME H, TATENO Y

Field effect transistor (FET) used for semiconductor device, has first gate electrode closer to source electrode and second gate electrode closer to drain electrode on graphene layer.

TATENO Y, SUEMITSU M, FUKIDOME H