国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/336（2）
发明人 TULEVSKI G S（2）
公开年
申请年 2011（2） 
专利权人 INT BUSINESS.（2）

Apparatus for doping graphene or carbon nanotube thin-film field-effect transistor device, has thin-film field-effect transistor device on substrate, and contact metal on doped channel region of transistor device.

AFZALIARDAKANI A, CHANDRA B, TULEVSKI G S, BHUPESH C

Increasing conductivity of a graphene film, comprises exposing the graphene sheets to a solution comprising a one-electron oxidant configured to dope the graphene sheets.

BOL A A, AFZALIARDAKANI A, TULEVSKI G S, AFZALIARDAKANI A