国家/地区 中国（1590） 世界知识产权组织（28） 美国（20） 欧洲专利局（EPO）（6） 日本（5） 韩国（5） 台湾（4） 新加坡（3）
IPC部 C（824） B（455） H（454）
G（166） A（115） D（88）
F（51） E（18）
IPC大类 H01（395） C01（252） C08（228）
B01（185） C09（174） G01（128）
B82（103） C02（78） C04（61）
A61（59） B32（55） H05（53）
C23（51） D06（44） D01（39）
IPC小类 C01B（249） H01M（209） C08K（182）
C08L（177） B01J（143） G01N（100）
B82Y（98） C09D（96） C02F（78）
H01L（73） C08J（72） C09K（70）
C04B（61） B01D（57） B32B（55）
IPC C08K003/04（169） H01M010/0525（89） H01M004/36（87）
H01M004/62（84） B82Y030/00（70） C01B032/184（70）
B82Y040/00（60） C01B031/04（59） C08K009/04（49）
C09D007/61（47） H01M004/583（44） H01M004/38（43）
C09D005/08（41） C01B032/194（40） C01B032/198（36）
发明人 ZHANG H（1605）
公开年 2021（294） 2022（257） 2018（221） 2017（185） 2020（150） 2023（138） 2016（101） 2019（70） 2015（68） 2014（44） 2013（41） 2012（18） 2011（13） 2010（4）
申请年 2021（267）  2022（234）  2020（212）  2017（177）  2016（162）  2018（148）  2019（141）  2015（85）  2014（49）  2013（43）  2012（29）  2023（29）  2011（15）  2010（7）  2009（6） 
专利权人 UNIV ANHUI T.（32） CAS DALIAN C.（29） SEMICONDUCTO.（27） CHINA PETROL.（26）
ZHANG H（24） SHANGHAI INS.（22） UNIV GUANGDO.（22） UNIV CHINA E.（21）
UNIV SHENZHE.（21） UNIV BEIJING.（19） UNIV HARBIN .（18） SEMICONDUCTO.（17）
SHENZHEN QIA.（17） AECC BEIJING.（16） UNIV SOUTHEA.（16） BEIJING GRAP.（15）
UNIV SHANGHA.（15） BEIJING INST.（13） SHENZHEN JIN.（13） SICHUAN LIZH.（13）

Graphene coiled material sintering clamp has D-shaped gasket that is sleeved on first graphite column between separating plates, in which first column is solid structure.

WANG S, LI H, HU Y, ZHANG H

Feeding groove for scraping blade coating production graphene, has flattening rotary roller set in pressure stabilizing material cavity from close to multi-stage shunt feeding pipe is interval to slit discharge port is set.

WANG S, LI H, HU Y, ZHANG H

Filter cloth base material for coating production graphene, has film-forming grid area formed by weaving single-wire warps and multi-wire wefts, and separating belt knitted by single thread warp thread and single thread weft thread.

WANG S, LI H, HU Y, ZHANG H

Pre-processing clamp graphene coiled material comprises inner reel, and upper shell and lower shell sleeved on outer side of inner reel.

WANG S, LI H, HU Y, ZHANG H

Preparing platinum-based single-atom catalyst comprises dissolving graphene, cobalt-containing precursor powder and terephthalic acid organic ligand in alcoholic solvent 1, subjecting to precipitation, carry out microwave heating, adopting ultraviolet lamp to irradiate, drying and calcining.

ZHANG H, SHAO Z, HAO J

High electron mobility transistor in semiconductor device, has conductive graphene layer disposed between gate metal and first semiconductor structure, and disposed opposite to gate metal, and/or disposed between second semiconductor structure and second semiconductor layer.

YE N, LIU C, ZHANG H, XU H, YAN D, CHEN D

Silicon negative electrode pole component of battery mounted in electric automobile, has active material layer which is composed of silicon material, conductive agent and fibrosis agglomerant, and current collector that is made of carbon felt material.

ZHU G, LI Y, WANG M, SHI Y, WANG Q, ZHANG H

Chromium reducing type cement grinding aid useful in building material, comprises grinding aid shell, reducing agent, protective agent, penetration enhancer, and water, where reducing agent is sodium thiosulfate.

LIU Y, ZHANG X, ZHANG H, ZHANG Z

Piglet obsteable bed, has iron column leakage plate whose outer side is provided with production bed protection monitoring device, first supporting frame provided with base lifting mechanism, where bottom of supporting frame is fixedly connected with supporting pad foot and supporting pad feet.

WU Z, ZHOU Z, SONG L, FENG M, WANG Y, HAN Y, GUO J, ZHOU Y, ZHANG H

Anode lithium supplementing agent useful for anode sheet used in electrochemical device, comprises lithium cuprate, lithium cuprate is doped with metal elements; and coating layer, which is coated on surface of lithium cuprate particles, coating layer is made of carbon material.

YU S, ZHAN X, CHEN J, SHENG P, WANG K, ZHANG H, TU C, YI S, GUO Y, LIU X, QI S, WU W