国家/地区 中国（2） 韩国（2） 新加坡（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2） C01（2） C25（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y030/00（2）
发明人 LOH K（2）
公开年
申请年
专利权人 UNIV SINGAPO.（2） UNIV SINGAPO.（2）

Removing graphene film grown on surface of metal substrate, comprises applying support layer to exposed surface of graphene film to define first structure, and subjecting first structure to electrochemical process to form gas bubbles.

LOH K P, WANG Y, LOH K

Forming graphene used in e.g. bioanalytics involves providing graphite sample having atomic layers of carbon; introducing solvent and ions into spaces between the atomic layers; expanding space; and separating the layers using driving force.

LOH K P, WANG J, JUNZHONG B, LOH K, LUO J, ZUNZHONG W