国家/地区 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 日本（2） 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 B01（3）
IPC小类 B01J（3）
IPC C01B031/04（3）
发明人 CHOI J（2） CHOI J Y（2） SHIN H（2）
SHIN H J（2） YOON S（2） YOON S M（2）
公开年 2009（3）
申请年 2008（3）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Method for processing graphene sheet type-material used for semiconductor integrated circuit device, involves irradiating vacuum UV rays to surface of graphene sheet-type material to remove or modify outermost surface layer of material.

ASANO T

Preparing graphene sheet, useful in e.g. electrical device, comprises forming film comprising graphitizing catalyst, heat-treating gaseous carbon source in presence of the catalyst to form graphene, and cooling graphene to form sheet.

CHOI J, SHIN H, YOON S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M, IN Z

Graphene sheet preparation e.g. for hydrogen storage medium, comprises disposing polymer on sheet form graphitizing catalyst, and heat-treating polymer on graphitizing catalyst in inert or reductive atmosphere.

CHOI J, SHIN H, YOON S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M, YEONG C J, JIN S H, MI Y S