国家/地区 韩国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/198（2）
发明人
公开年 2022（2）
申请年 2021（2） 
专利权人

Hydroxide radical generating system comprises up conversion layer including first up-conversion layer and second up-conversion layer, photocatalyst layer, and photonic crystal layer.

KIMHYEONGIL, IN J H

Producing transition metal chalcogen compound useful in semiconductor devices comprises forming graphene thin film, forming transition metal chalcogen compound on graphene thin film from transition metal precursor and chalcogen precursor.

HOON L S, HONG B H, KIM J W, CHO S P, BAEKWON P, LEE G S, IL J, LIM E H