国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C23（2） C30（2）
IPC小类 C23C（2）
IPC C30B033/02（2）
发明人
公开年 2023（2）
申请年
专利权人

Preparing wafer-sized gallium oxide film comprises e.g. cleaning gallium metal droplets to remove surface oxide film, placing pure gallium droplet on surface of heated substrate, and roll gallium droplet with extrusion rod coated with viscoelastic or rubbery polymer material on surface.

ZHANG L, TU R, LU P, ZHANG S, LI B

Preparing a metal wafer substrate involves forming metal thin film on the sapphire substrate by magnetron sputtering, and annealing under mixed atmosphere of hydrogen and argon.

PENG H, YANG Y, CAO Y, TANG J, YAN R, DU Y