国家/地区 韩国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B32（3）
IPC小类 B32B（3）
IPC C01B031/02（3）
发明人 MOON J（3） JUNG M（2） PARK W（2）
RHO J（2）
公开年 2013（2）
申请年 2012（3） 
专利权人 LG ELECTRONICS INC（3）

Manufacture of graphene involves forming graphene layer on catalyst metal layer, forming protective layer on graphene layer, positioning support layer on protective layer and then removing catalyst metal layer.

JUNG M, PARK W, RHO J, MOON J

Producing a doped graphene, used in e.g. auxiliary electrode, comprises forming doped graphene layer, positioning support layer, removing metal layer, adding dopants and positioning substrate layer and then removing support layer.

RHO J, LEE S, JUNG M, MOON J, SEO B, PARK W

Manufacture of graphene involves forming directly catalytic metal layer on graphene layer, depositing adhesive layer component on graphene layer, and separating catalyst of metal layer and adhesive material on one side.

MOON J