国家/地区 美国（3） 世界知识产权组织（3） 韩国（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 B01（3）
IPC小类 B01D（3）
IPC B82Y030/00（3） B82Y040/00（3） C01B031/02（3）
C01B031/04（3） H01B001/04（2）
发明人
公开年 2011（3）
申请年 2010（3）
专利权人

Reducing agent used for manufacturing reduced graphene oxide for, e.g. semiconductors, comprises reducing agent with halogen element, preferably hydrogen iodide, and acid, with acidity of acid being weaker than that of reducing agent.

LEE H Y, LEE J H, MOON I K

Manufacture of graphene involves obtaining forming graphite intercalation compound using alkaline metal or its ion, or alkaline earth metal or its ion, and dispersing graphite intercalation compound.

JEON S, KANG K, KWON J, PARK K, SEO D, JEON S W, KANG K S, KWON J Y, PARK K H, SEO D H, HWA S D, SEOK G G, YEONG K J, U JEON S

Manufacture of graphene used for e.g. photovoltaic cell, involves exposing graphite oxide to source of ultraviolet light, visible light and/or infrared radiant energy.

ELSHALL M S, ABDELSAYED V, ALRESAYES S I, ALOTHMAN Z A M, MOUSSA S, MOHAMED M B