国家/地区 日本（2） 韩国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B32（2）
IPC小类 B32B（2）
IPC B32B009/00（2）
发明人
公开年 2013（2）
申请年 2013（2）
专利权人

Preparing multilayer article from semiconductor substrate involves forming metal film on front of substrate; forming layer of boron nitride; and forming layer of graphene between substrate and the back metal film surface.

SEACRIST M R, BERRY V, NGUYEN P T

Preparing graphene for photovoltaic cells involves annealing catalyst substrate in hydrogen gas within chemical vapor deposition chamber at atmospheric pressure and exposing it to gas mixture of hydrocarbon/hydrogen having specific pressure.

VLASSIOUK I V, SMIRNOV S N, PETER W H, SABAU A S, DAI S, FULVIO P F, IVANOV I N, LAVRIK N V, DATSKOS P G