国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C23（2） C25（2）
IPC小类 C23C（2）
IPC C23C016/26（2）
发明人
公开年 2014（2）
申请年 2013（2） 
专利权人

Preparation of graphene crystal domain involves forming copper-nickel double sided substrate, introducing hydrogen, reacting, introducing carbon source, growing graphene crystal domain, introducing argon gas and cooling.

YANG C, WU T, LU G, ZHANG X

Preparation method for metal electrode of graphene conductive film involves patterning graphene film and metal layer are patterned on upper substrate.

JIN H, PENG P, WU W, ZHOU Z