国家/地区 美国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/04（2） C23C016/26（2） C30B025/02（2）
H01L029/16（2）
发明人 ZHANG Y（2）
公开年
申请年
专利权人 ZHANG Y（2）

Method for growing graphene layer on metal foil for e.g. forming field-effect transistor, involves positioning foil in vessel placed in chamber, introducing hydrogen, annealing foil, introducing methane and depositing carbon on foil.

ZHOU C, ZHANG Y, ZHANG L

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y