国家/地区 欧洲专利局（EPO）（2） 日本（2） 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B32（2）
IPC小类 B32B（2）
IPC C01B031/02（2）
发明人
公开年
申请年 2008（2）
专利权人

Controlled growth of graphene film comprises preparing substrate of metal layer having phase diagram with carbon on surface to obtain homogeneous solid solution, exposing layer to controlled flow e.g. carbon atoms and changing the phase.

BARATON L, COJOCARU C S, PRIBAT D, COJOCARU C

Preparing graphene sheet, useful in e.g. electrical device, comprises forming film comprising graphitizing catalyst, heat-treating gaseous carbon source in presence of the catalyst to form graphene, and cooling graphene to form sheet.

CHOI J, SHIN H, YOON S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M, IN Z