国家/地区 韩国（4） 世界知识产权组织（4） 美国（3） 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 C（4） B（3） D（2）
IPC大类 C01（4）
IPC小类 C01B（4）
IPC B82Y030/00（3） C01B031/04（3） B82Y040/00（2）
C01B031/02（2） C01B032/194（2） C08J005/00（2）
C08K003/04（2） D01D001/02（2） D01D005/06（2）
D01D010/02（2） D01F001/09（2） D01F006/14（2）
D01F006/16（2） D01F009/12（2） D02J013/00（2）
发明人 KIM S H（4）
公开年 2012（2） 2013（2）
申请年 2012（4）
专利权人 UNIV HANYANG.（2）

Manufacture of graphene oxide reduced material for forming electrode for silicon-based semiconductor, involves synthesizing graphite oxide flakes from graphite flakes and forming graphene oxide dispersion solution.

JEONG S, LEE G, HAN J, JEONG H, KIM S, HAN J T, JEONG H J, JEONG S Y, KIM S H, LEE G W

Production of conductive polymer filler involves producing CNT-exfoliated-graphene by refluxing graphene and carbon nanotube and irradiating solar light, and microcapsulizing CNT-exfoliated-graphene to thermoplastic resin layer.

KIM S H

Graphene composite fiber used for knots, spring structures, and textiles, comprises graphene and polymer, and maintains wrinkled structure of graphene in fiber state.

KIM S J, SHIN M K, KIM S H, JEONG K S, KYOON S M, HYEONG K S

Manufacture of graphene fiber used for e.g. super capacitor, involves preparing dispersion liquid by dispersing graphene with surfactant in solvent, and preparing composite fiber by mixing dispersion liquid, wet-spinning and drying.

KIM S J, SHIN M K, KIM S H, JEONG K S, KYOON S M, HYEONG K S