国家/地区 中国（2） 台湾（2） 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y040/00（2） C01B031/04（2）
发明人 LIN X（2）
公开年 2013（2）
申请年 2012（2）
专利权人 HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Making strip shaped graphene layer used as conductive layer in semiconductive device, comprises making drawn carbon nanotube film, disposing carbon nanotube composite, removing polymer material and etching nanotube segment and graphene film.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer used in semiconductor devices e.g. sensor, involves providing carbon nanotube structure comprising film on substrate surface, implanting carbon ions into substrate, and annealing substrate to obtain layer.

LIN X, JIANG K, FAN S