国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2） C（2）
IPC大类 B01（2） C01（2）
IPC小类 B01J（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人
公开年 2017（2）
申请年
专利权人 KOREA ADVANCED SCI TECHNOLOGY INST（2）

Manufacturing graphene used in field effect transistor, supercapacitor, hydrogen generation or storage, solar cell, photocatalyst and biosensor, comprises forming the graphene by unzipping doped carbon materials by an external stimulus.

KIM S O, LEE H J, LIM J, KIM S

Porous nanostructure used for e.g. hydrogen storage material and vibration absorber, comprises graphene layer comprising laminated graphene and having pores formed on surface or inside, and metal particles embedded in graphene filler.

JUNG J, KIM H, OH I, OH J, JUNG J H, KIM H J, OH J H