国家/地区 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B32（2）
IPC小类 B32B（2）
IPC B32B043/00（2）
发明人
公开年
申请年
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（2）

Method for transferring graphene to manufacture e.g. bipolar junction transistor, involves bonding graphene layer to target layer, and removing sacrificial layer using excimer laser to separate substrate from graphene layer.

WENXU X, LEE J, MOON C, PARK Y, YANG W, KIM Y, XIANYU W, LEE J Y, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, KIM Y S, LEE J H

Method for transferring graphene sheet to device involves forming binder layer on graphene sheet on which carbonization catalyst is formed, exfoliating carbonization catalyst and transferring graphene sheet to device.

SHIN H J, CHOI J, YOON S