国家/地区 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 日本（2） 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2） C01（2）
IPC小类 B82B（2）
IPC B82B003/00（2）
发明人
公开年 2012（2）
申请年 2012（2） 
专利权人

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Synthesizing graphene comprises refluxing reaction mixture of solvent e.g. water and carbonaceous material promoting polycyclic aromatic hydrocarbon formation, collecting and directing obtained vapors to substrate and recovering graphene.

SHANKMAN R S, HANKMAN R S