国家/地区 韩国（3） 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 印度（2） 日本（2） 墨西哥（2） 俄罗斯（2） 台湾（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3）
IPC小类 B82B（3）
IPC B82B003/00（3） B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
C01B031/02（2） C01B031/04（2） C01B032/188（2）
C23C016/26（2） C30B029/02（2）
发明人 VEERASAMY V（2） VEERASAMY V S（2）
公开年 2011（3）
申请年 2009（3）
专利权人 GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2）

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Manufacturing graphene nanoribbons used in hydrogen reservoir and electrical device, involves preparing substrate, preparing nanowire, and separating obtained graphene nanoribbons.

KIM S J, PARK J E, JIN K S, EUN P J