国家/地区 日本（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2） C01（2） H01（2）
IPC小类 B82B（2）
IPC B82B001/00（2） B82B003/00（2） C01B031/04（2）
H01B001/04（2）
发明人 CHOI B（2）
公开年 2011（2）
申请年 2010（2）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Composite structure useful in logic device, memory device and supercapacitor, comprises first graphene, second graphene separated apart from first graphene, one-dimensional nanostructure, and substrate on which graphenes is disposed.

CHOI B, LEE E, WHANG D, KIM B, CHOE P Y, I E K, HWANG T M, KIM P S, CHOI B L, KIM B S, LEE E K, WHANG D M

Composite structure for manufacturing a logic device, a memory device, a supercapacitor and a flexible and stretchable device, comprises graphene sheets disposed at a regular interval, and a nanostructure oriented through the sheets.

CHOI B, LEE E, WHANG D, KIM B, CHOE P Y, I E K, HWANG T M, KIM P S, CHOI B L, WHANG D M, KIM B S, LEE E K