国家/地区 欧洲专利局（EPO）（3） 美国（3） 世界知识产权组织（3） 中国（2） 日本（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3） C07（2） H01（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/04（3）
发明人 ZHOU M（3） LIU D（2） WANG Y（2）
公开年 2012（3）
申请年 2010（2） 
专利权人 ZHOU M（3）

Method for forming one-to-four-monolayer graphene layer on metal layer in manufacturing, e.g., magnetic tunnel junction (MTJ) spin filters for magnetoresistive RAM, by inducing segregation of carbon in metal layer to surface of metal layer.

KELBER J, ZHOU M, MI J U

Fluorinated graphene oxide has specified fluorine content and carbon content.

ZHOU M, LIU D, WANG Y

Fluorinated graphene oxide contains specified amount of fluorine, carbon and oxygen.

ZHOU M, LIU D, WANG Y, WANG Y B, ZHOU M J, LIU D X