国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人 WU T（2）
公开年 2014（2）
申请年 2014（2）
专利权人

Manufacture of graphene flash memory involves patterning conductive layer formed on semiconductor substrate, forming source/drain electrodes, dielectric layers, graphene layer and gate electrode, and etching dielectric layers.

WANG H, JIANG M, LI L, XIE X, WU T, CHEN J, LU G, XIE H, ZHANG X

Obtaining fluorinated graphite involves irradiating gamma ray using graphene in presence of carbon tetrafluoride gas in atmosphere to obtain graphite alkene product.

CHEN L, LI J, WU F, XU Z, WU T, ZHOU B, MA M, DAN J