国家/地区 英国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/182（2）
发明人
公开年 2022（2）
申请年 2022（2）
专利权人

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Producing graphene comprises mixing expanded graphite in liquid to provide mixture, and exfoliating expanded graphite by exposing mixture to high shear mixing assembly.

BOHM H L M, BOHM S