国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B032/186（3）
发明人 LIN L（3）
公开年 2018（2）
申请年 2017（3）
专利权人 UNIV PEKING（3）

Preparation of ultra-clean graphene involves using chemical vapor deposition, and providing foam copper above growth substrate.

LIU Z, PENG H, LIN L, ZHANG J, SUN L

Preparing ultra-clean graphene used in optical and electric field, involves adding copper substrate in tubular furnace, introducing carbon source gas and hydrogen for chemical vapor deposition and introducing carbon dioxide.

LIU Z, PENG H, ZHANG J, GU K, LIN L, SUN L

Preparation of ultraclean graphene comprises considering gas path from upstream to downstream direction, placing copper acetate and copper substrates at intervals and introducing hydrogen for chemical vapor deposition.

LIU Z, PENG H, GU K, ZHANG J, LIN L, SUN L