国家/地区 中国（4）
IPC部 B（4） C（4） H（2）
IPC大类 B01（4）
IPC小类 B01J（4）
IPC B01J021/18（3） B01J037/02（2） B32B009/00（2）
B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B031/02（2）
C01B031/04（2） C01B032/186（2） C23C016/02（2）
C23C016/26（2）
发明人 SHIN H（4）
公开年 2009（2）
申请年 2008（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3）

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Catalyst used for producing hydrogen peroxide, comprises carbon-based support, and catalytic moiety containing metal-nitrogen bonding structure, and bonded to carbon-based support.

HYEON T, SUNG Y, SHIN H, LEE B, JUNG E, SHIN H J, LEE B H, CHUNG E Y, LI B

Preparing graphene sheet, useful in e.g. electrical device, comprises forming film comprising graphitizing catalyst, heat-treating gaseous carbon source in presence of the catalyst to form graphene, and cooling graphene to form sheet.

CHOI J, SHIN H, YOON S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M, IN Z

Graphene sheet preparation e.g. for hydrogen storage medium, comprises disposing polymer on sheet form graphitizing catalyst, and heat-treating polymer on graphitizing catalyst in inert or reductive atmosphere.

CHOI J, SHIN H, YOON S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M, YEONG C J, JIN S H, MI Y S