国家/地区 韩国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C25（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/182（2）
发明人
公开年
申请年 2017（2）
专利权人

Preparing metal oxide-doped graphene used for field effect transistor, and in p-type semiconductor, comprises e.g. depositing graphene on first substrate, and transferring deposited graphene onto second substrate to form graphene electrode.

KYU K E, SOO P C

Electrolytic copper foil used for producing graphene, has preset ratio of surface roughness of copper foil and surface roughness of copper foil after heat treatment.

JO T J, LEE S H, PARK S, SONG K D, TAE J J, SUNHYOUNG L, SEULKI P, KIDEOK S, JO T, LEE S, SONG K