国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C23（2） C30（2） H01（2）
IPC小类 C23C（2）
IPC C23C016/26（2）
发明人
公开年
申请年 2012（2）
专利权人 UNIV XIDIAN（2）

Direct epitaxial method of graphene by chemical vapor deposition using II-VI semiconductor zinc oxide substrate where graphene-zinc oxide composite is used for piezoelectric device comprises pre-processing substrate and growing graphene.

ZHANG J, HAN D, NING J, HAO Y, CHAI Z, WANG D, YAN Y

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y