国家/地区 台湾（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C30（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C30B029/02（2）
发明人 BERRY V（2）
公开年
申请年
专利权人 SUNEDISON SE.（2）

Formation of multilayer structure, involves epitaxially depositing graphene layer on layer comprising cobalt that is in contact with dielectric layer and has semiconductor wafer with front wafer surface contacting dielectric layer.

BERRY V, BEHURA S, NGUYEN P, SEACRIST M R

Preparing a semiconductor substrate, useful for forming a multilayer article, comprises forming a metal film on the substrate, contacting metal film surface with a carbon-containing gas and precipitating carbon atoms to form graphene layer.

SEACRIST M R, BERRY V