国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C23（2） C30（2）
H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/186（2）
发明人
公开年
申请年 2016（2）
专利权人

Manufacturing method of semiconductor device, by forming graphene layer on first substrate, transferring graphene layer from first substrate to second substrate, and forming single-crystalline film on graphene layer.

KIM J

Method for synthesizing multi-layer graphene e.g. trilayer graphene, involves heat-treating catalytic metal layer on substrate while supplying methane gas, and synthesizing multi-layer graphene on heat-treated catalytic metal layer.

HAM M, SON M, HAM M H, SON M W, XIAN W, SUN M