国家/地区 中国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2） C30（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y040/00（2）
发明人
公开年 2022（2）
申请年 2021（2）
专利权人

Preparing high-quality third-fifth compound substrate used in photoelectronic device, photoelectric integration, ultra-high-speed microelectronic device, involves providing third group metal-organic source mixed precursor.

WANG G, YAN Q

Assembly method of plant device containing lead-free double perovskite quantum dot crystal involves preparing lead-free double perovskite quantum dot crystal, packaging the lead-free double perovskite quantum dot crystal.

CHEN Q, SHI M, ZOU J, JIN D, WAN W, ZHOU Y