国家/地区 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2） C01（2） C23（2）
H01（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y040/00（2）
发明人 LEE K（2）
公开年 2012（2）
申请年 2011（2） 
专利权人

Forming graphene, comprises providing substrate and carbon-containing reactant source in chamber, and radiating laser beam on substrate to decompose carbon-containing reactant source and form graphene over substrate.

LEE K, CHOI I, CHOI S, HONG B, LEE K J, CHOI I S, CHOI S Y, HONG B H

Method of directly synthesizing uniform multilayer graphene of semiconductor device, involves passing reaction gas into reaction chamber, after temperature in reaction chamber reaches specific level.

ZHONG Z, LEE S, LEE K