国家/地区 中国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B44（2）
IPC小类 B44C（2）
IPC B82Y040/00（2） C01B031/04（2）
发明人 LIN X（2）
公开年
申请年
专利权人 HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Making strip shaped graphene layer used as conductive layer in semiconductive device, comprises making drawn carbon nanotube film, disposing carbon nanotube composite, removing polymer material and etching nanotube segment and graphene film.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making graphene/carbon nanotube composite structure, comprises forming a graphene film on a substrate, and forming a substrate/graphene/carbon nanotube composite structure by combining a carbon nanotube layer with the graphene film.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, LIN X Y, FAN F Y