国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC B82Y040/00（2） C01B031/04（2） C23C016/26（2）
发明人 DING G（3）
公开年 2012（3）
申请年 2012（2） 
专利权人 CHINESE ACAD.（3） DING G（2） SHANGHAI INS.（2） XIE X（2）

Controllable layer number graphene thin film, prepared by preparing germanium-silicon substrate, carburizing and heating copper-nickel composite substrate with carbon source gas.

DING G, JIANG M, XIE X, ZHU Y

Preparation of graphene by selecting substrate material, depositing directly catalyst and tetrabromomethane on substrate surface, and annealing substrate.

DI Z, DING G, GONG Q, LIU Q, WANG H, WANG S, XIE X

Hexagonal boron nitride substrate used for manufacturing graphene nano belt used in electronic device, consists of boron nitride substrate layer and single atom layer.

DING G, JIANG M, TANG S, XIE X