国家/地区 日本（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y040/00（2） C30B029/64（2） H01L021/02（2）
H01L021/314（2）
发明人 BERRY V（2）
公开年 2013（2）
申请年
专利权人 MEMC ELECTRO.（2） SUNEDISON SE.（2） UNIV KANSAS .（2）

Preparing multilayer article from semiconductor substrate involves forming metal film on front of substrate; forming layer of boron nitride; and forming layer of graphene between substrate and the back metal film surface.

SEACRIST M R, BERRY V, NGUYEN P T

Preparing a semiconductor substrate, useful for forming a multilayer article, comprises forming a metal film on the substrate, contacting metal film surface with a carbon-containing gas and precipitating carbon atoms to form graphene layer.

SEACRIST M R, BERRY V