国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC H01L033/00（2） H01L033/02（2）
发明人 FAN S（2） WEI Y（2）
公开年 2013（2）
申请年 2012（2）
专利权人 FAN S（2）

Method for manufacturing epitaxial structure of e.g. LED, involves forming graphene layer on epitaxial growth surface, and epitaxially growing epitaxial layer on epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Epitaxial structure used in light emitting device e.g. LED based on group III-V nitride semiconductor e.g. gallium nitride, comprises substrate, epitaxial layer disposed on substrate, and graphene layer disposed between substrate and layer.

WEI Y, FAN S