国家/地区 日本（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2）
IPC小类 C30B（2）
IPC H01L021/02（2） H01L021/20（2） H01L029/06（2）
发明人
公开年 2013（2）
申请年 2012（2） 
专利权人

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Preparing a semiconductor substrate, useful for forming a multilayer article, comprises forming a metal film on the substrate, contacting metal film surface with a carbon-containing gas and precipitating carbon atoms to form graphene layer.

SEACRIST M R, BERRY V