| 国家/地区 | India（2） |
| 关键词 | |
| 出版物 | ECS JOURNAL OF SOLI.（2） |
| 出版时间 | |
| 机构 |
MADAN MOHAN MALAVIYA UNIV TECHNOL（2）
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| 作者 |
CHAUHAN RK（2）
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Impact of p-Type NiO Pocket and Ultra-Thin Graphene Layer on the RF Performance of beta-Ga2O3 MOSFET
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE TECHNOLOGY
YADAVA N, MANI S, CHAUHAN RK
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE TECHNOLOGY
YADAVA N, CHAUHAN RK