国家/地区 China（2）
关键词 ELECTRONIC TRANSPORT PROPERTIE（2）
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机构
作者 DU SY（2）

Negative differential resistance and rectifying performance induced by doped graphene nanoribbons p-n device

PHYSICS LETTERS A

ZHOU YH, QIU NX, LI RW, GUO ZS, ZHANG J, FANG JF, HUANG AS, HE J, ZHA XH, LUO K, YIN JS, LI QW, BAI XJ, HUANG Q, DU SY

The Electronic Transport Properties in Boron-Doped Armchair Graphene Nanoribbon Junctions

NANOSCIENCE NANOTECHNOLOGY LETTERS

ZHOU YH, WU JJ, HE P, DENG TF, DU SY, YE C