国家/地区 Korea（2）
关键词
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2）
出版时间
机构 GWANGJU INST SCI TECHNOL（2）
作者 KIM YJ（2）

Ternary Full Adder Using Multi-Threshold Voltage Graphene Barristors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HEO S, KIM S, KIM K, LEE H, KIM SY, KIM YJ, KIM SM, LEE HI, LEE S, KIM KR, KANG S, LEE BH

Extraction of the Interface State Density of Top-Gate Graphene Field-Effect Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

JUNG U, KIM YJ, KIM Y, LEE YG, LEE BH