国家/地区 Korea（3）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（3）
出版物 ADVANCED MATERIALS（2）
出版时间 2012（2）
机构
作者 LEE S（3）

Lowering the Schottky Barrier Height by Graphene/Ag Electrodes for High-Mobility MoS2 Field-Effect Transistors

ADVANCED MATERIALS

CHEE SS, SEO D, KIM H, JANG H, LEE S, MOON SP, LEE KH, KIM SW, CHOI H, HAM MH

Highly Air-Stable Phosphorus-Doped n-Type Graphene Field-Effect Transistors

ADVANCED MATERIALS

SOME S, KIM J, LEE K, KULKARNI A, YOON Y, LEE S, KIM T, LEE H

Fabrication and electrical characteristics of graphene-based charge-trap memory devices

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY

LEE S, KIM SM, SONG EB, WANG KL, SEO DH, SEO S