国家/地区 India（4）
关键词 NEGF（3） BILAYER GRAPHENE NA.（2） CUTOFF FREQUENCY（2）
DIGITAL APPLICATION（2） INTRINSIC GAIN（2）
出版物
出版时间
机构 INDIAN INST .（3）
作者 RAWAT B（4）

Modeling of graphene-based field-effect transistors through a 1-D real-space approach

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS

RAWAT B, PAILY R

Performance Evaluation of Bilayer Graphene Nanoribbon Tunnel FETs for Digital and Analog Applications

IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY

RAWAT B, PAILY R

Performance projection bilayer graphene nanoribbon FET through quantum mechanical simulation

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

RAWAT B, PAILY R

Analysis of Graphene Tunnel Field-Effect Transistors for Analog/RF Applications

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

RAWAT B, PAILY R