国家/地区 Germany（2）
关键词
出版物
出版时间 2012（2）
机构
作者 SCHWIERZ F（2）

Side-gate graphene field-effect transistors with high transconductance

APPLIED PHYSICS LETTERS

HAHNLEIN B, HANDEL B, PEZOLDT J, TOPFER H, GRANZNER R, SCHWIERZ F

Graphene field effect transistor improvement by graphene-silicon dioxide interface modification

PHYSICA ELOWDIMENSIONAL SYSTEMS NANOSTRUCTURES

PEZOLDT J, HUMMEL C, SCHWIERZ F